Учебная работа по дисциплине Психология

Реферат Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом



Текст реферата Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом

Національний університет
“Львівська політехніка”
Курсова робота
З курсу: “ Фізика польових напівпровідникових приладів і
компонентів інтегральних схем на основі МОНструктур ”
на тему: “ Розрахунок електричних параметрів і характеристик
польового транзистора з керуючим рn-переходом ”
Виконав:
Перегинець І.І.
Прийняв:
п роф. Дружинін А.О .
Львів 2002
Завдання :
1 . Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних.
2 . Намалювати сім’ ю ВАХ і характеристик передачі.
3 . Які фізичні фактори відповідають за нелінійність ВАХ.
4 . Розрахувати опір ділянки кола стіквитік транзистора у відкритому
стані при концентрації донорів в каналі Nd , акцепторів в р області Na
, довжині каналу L , шириніW і товщиніd .
5 . Який з параметрів польового транзистора характеризує його
підсилювальну властивість в режимі малих сигналів ? В изначити його
максимальну величину .
6 . Від чого залежить ширина ОПЗ затворного р + -nпереходу . О
цінити цю ширину .
7 . Дати визначення й розрахувати напругу відсікання .
8 . Чим зумовлена бар ‘ єрна ємність затворного рn-переходу ?
9 . Розрахувати вхідну ємність рn-переходу .
10 . Які фізичні процеси обмежують діапазон робочих частот .
11 . Розрахувати максимальну робочу частоту транзистора
12 . Яку технологію можна використати при розробці транзистора .
Дані для розрахунку курсової роботи:
N d =1·10 21 (м -3 )концентрація донорів;
N a =2·10 24 (м -3 )-концентрація акцепторів;
L =15·10 -6 (м)довжина каналу;
W =300·10 -6 (м)-ширина каналу;
d 0 =0, 8 ·10 -6 (м)віддаль між металургійними межами;
=12,5-діалектрична проникливість кремнію;
0 = 8.85·10 -6 -діалектрична проникливість у вакумі;
n =0,14(м 2 /В с)-рухливість електронів;
р =0,05(м 2 /В с)-рухливість дірок;
n i =1.45·10 16 (м -3 )-концентрація електронів у власному н/п в
умовах термодинамічної рівноваги;
V s =10·10 5 (м с -1 )-швидкість насичення;
Т t =300( K )-кімнатна температура;
k =1.38·10 -23 ( Дж K -1 )-константа Больцмана.
Вступ
Польові транзистори з керуючим рn-переходом – уніполярні
напівпровідникові прилади, принцип дії яких заснований на дрейфі
основних носіїв заряду. Такі транзистори мають менший вхідний опір
порівняно з МДНтранзисторами, однак він є набагато більшим від
вхідного опору біполярного транзистора. Розрізняють польові
транзистори з керуючим рn-переходом як прилади з каналом рабо nтипу
провідності.
Польові транзистори з керуючим рn-переходом перш за все
використовуються в підсилювальному режимі. Тут в багатьох випадках
вони мають переваги над МДНтранзисторами. Зокрема вжливою перевагою
польових транзисторів з керуючим рn-переходом є малий рівень власних
шумів і висока стабільність параметрів в часі. Причиною цих переваг є
те, що канал в польових транзисторах з керуючим рn-переходом
відокремлений від поверхні рnпереходом. На межі каналу й ОПЗ відсутні
поверхневі дефекти, які зумовлюють як нестабільність параметрів, так і
додаткові шуми
Страницы: 0 1 2 3